90納米
技術簡介
中芯國際的300毫米晶圓廠已有多個90納米工藝的產品進入大規模的生產,中芯國際擁有豐富的制程開發經驗,可向全球客戶提供成熟穩定的90納米技術服務。中芯90納米制程采用Low-k材質的銅互連技術,生產高性能的元器件。利用先進的12英寸生產線進行90納米工藝的生產能確保成本的優化,為客戶未來技術的提升提供附加的資源。此外,我們的90納米技術可以為客戶量身定做, 達到各種設計要求,包括高速,低耗,混合信號,射頻以及嵌入式和系統集成等方案。
在90納米技術上,中芯向客戶提供生產優化的方案,以期竭盡所能地為客戶產品的性能的提升,良率的改善和可靠性的保證提供幫助。對于90納米相關的單元庫,IP及輸入/輸出接口等可通過我司的合作伙伴獲得。
特點
工藝組件選擇
標準工藝組件選擇 |
90納米低漏電器件(1.2V) |
90納米低漏電器件(1.0V) | ||||||||||||||
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應用產品
中芯國際90納米技術可以滿足多種應用產品如無線電話,數字電視,機頂盒,移動電視,個人多媒體產品,無線網絡接入及個人計算機應用芯片等對低能耗,卓越性能及高集成度的要求。
0.13/0.11微米
技術簡介
和0.15微米器件的制程技術相比,我們的0.13微米工藝能使芯片面積縮小25%以上,性能提高約30%。與0.18微米制程技術比較,芯片面積更可縮小超過50%,而其性能也提高超過50%。
中芯的0.13微米制程采用全銅制程技術,從而在達到高性能設備的同時,實現成本的優化。中芯的 0.13 微米技術工藝使用 8 層金屬層寬度僅為 80 納米的門電路,能夠制作核心電壓為 1.2V 以及輸入 / 輸出電壓為 2.5V 或 3.3V的組件。我們的高速、低電壓和低漏電制程產品已在廣泛生產中
中芯國際可以提供0.13/0.11微米的單元庫,內存編譯器,輸入輸出接口和模擬IP。
特點
0.13 微米/0.11微米銅工藝平臺
工藝組件選擇
0.13 微米
0.11微米
應用產品
中芯國際在0.13/0.11微米技術節點上可提供低成本的閃存控制器、媒體播放器和其他各種應用產品。
0.15微米
技術簡介
中芯國際0.15微米工藝技術包括邏輯、混合信號,高壓,BCD,并提供廣泛的單元庫和IP的支持。
特點
應用產品
中芯國際在 0.15 微米技術節點上可提供低成本的移動/消費應用和汽車和工業應用產品。
0.18微米
技術簡介
中芯國際的0.18微米為消費性、通訊和計算機等多種產品應用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳選擇。此外,它也在嵌入式內存、混合信號及CMOS射頻電路等應用方面為客戶提供靈活性的解決方案及模擬。
此工藝采用 1P6M(鋁)制程,特點是每平方毫米的多晶硅門電路集成度高達100,000門以及有1.8V、3.3V和5V三種不同電壓,供客戶選擇。
我們的 0.18 微米工藝技術包括邏輯、混合信號/射頻、高壓、BCD、帶電可擦除只讀存儲器以及OTP等。這些技術均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。
特點
應用產品
中芯國際在 0.18 微米技術節點上可提供低成本、經驗證的智能卡、消費電子產品以及其它廣泛的應用類產品。
0.25微米
技術簡介
中芯國際的0.25微米技術能實現芯片的高性能和低功率,適用于高端圖形處理器、微處理器、通訊及計算機數據處理芯片。我們同時提供0.25微米邏輯電路和3.3V和5V應用的混合信號/CMOS射頻電路。
特點
應用產品
中芯國際提供成本優化及通過驗證的0.25微米工藝解決方案,可應用于多個領域。
0.35微米
技術簡介
我們的0.35微米制程技術包括邏輯電路,混合信號/CMOS射頻電路、高壓電路、BCD、 EEPROM和OTP芯片。這些技術均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。
應用產品
中芯國際提供成本優化及通過驗證的0.25微米工藝解決方案,可應用于多個領域。
其他工藝技術